IPD320N20N3GBTMA1
工場モデル | IPD320N20N3GBTMA1 |
---|---|
メーカー | Infineon Technologies |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 200V 34A TO252-3 |
パッケージ | PG-TO252-3 |
株式 | 5803 pcs |
データシート | Part Number GuideCover Tape Width Cancellation 14/Jul/2015Cover Tape Width Update 17/Jun/2015Mult Dev EOL 20/Oct/2015 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
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同上@ VGS(TH)(最大) | 4V @ 90µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO252-3 |
シリーズ | OptiMOS™ |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 32mOhm @ 34A, 10V |
電力消費(最大) | 136W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 2350 pF @ 100 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 29 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 200 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 34A (Tc) |
基本製品番号 | IPD320N |
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