IPD180N10N3GATMA1
| 工場モデル | IPD180N10N3GATMA1 |
|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies |
| 詳細な説明 | MOSFET N-CH 100V 43A TO252-3 |
| パッケージ | PG-TO252-3 |
| 株式 | 164222 pcs |
| データシート | IPD180N10N3 GPart Number GuideMult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018Mult Dev Wafer Chgs 22/Dec/2021 |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
|---|---|---|---|---|
| $0.511 | $0.459 | $0.358 | $0.296 | $0.233 |
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3.5V @ 33µA |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO252-3 |
| シリーズ | OptiMOS™ |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 18mOhm @ 33A, 10V |
| 電力消費（最大） | 71W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1800 pF @ 50 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 25 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 6V, 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 43A (Tc) |
| 基本製品番号 | IPD180 |
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