IPD100N04S4L02ATMA1
| 工場モデル | IPD100N04S4L02ATMA1 |
|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies |
| 詳細な説明 | MOSFET N-CHANNEL_30/40V |
| パッケージ | PG-TO252-3-313 |
| 株式 | 72111 pcs |
| データシート | Part Number GuideMult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018Mult Dev Wafer Fab 12/Feb/2019 |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
|---|---|---|---|---|
| $1.1 | $0.988 | $0.794 | $0.653 | $0.541 |
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.2V @ 95µA |
| Vgs（最大） | +20V, -16V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO252-3-313 |
| シリーズ | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 1.9mOhm @ 100A, 10V |
| 電力消費（最大） | 150W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 12800 pF @ 25 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 156 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 40 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 100A (Tc) |
| 基本製品番号 | IPD100 |
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