IPD023N04NF2SATMA1
| 工場モデル | IPD023N04NF2SATMA1 |
|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies |
| 詳細な説明 | TRENCH <= 40V |
| パッケージ | PG-TO252-3 |
| 株式 | 138483 pcs |
| データシート |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
|---|---|---|---|---|
| $0.541 | $0.483 | $0.377 | $0.311 | $0.246 |
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3.4V @ 81µA |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO252-3 |
| シリーズ | StrongIRFET™2 |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 2.3mOhm @ 70A, 10V |
| 電力消費（最大） | 3W (Ta), 150W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 4800 pF @ 20 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 102 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 6V, 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 40 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 27A (Ta), 143A (Tc) |
| 基本製品番号 | IPD023 |
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