IPC80N04S403ATMA1
| 工場モデル | IPC80N04S403ATMA1 |
|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies |
| 詳細な説明 | MOSFET N-CH 40V 80A TDSON-8-23 |
| パッケージ | PG-TDSON-8-23 |
| 株式 | 4096 pcs |
| データシート | IPC80N04S4-03Part Number GuideIPC100N/80N LTB Extension 15/Jan/2018Mult Device Improvement/EOL 8/Mar/2017 |
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 60µA |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TDSON-8-23 |
| シリーズ | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 3.3mOhm @ 40A, 10V |
| 電力消費（最大） | 100W (Tc) |
| パッケージ/ケース | 8-PowerTDFN |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 5720 pF @ 25 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 71 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 40 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 80A (Tc) |
| 基本製品番号 | IPC80N |
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