IPC020N10L3X1SA1
| 工場モデル | IPC020N10L3X1SA1 |
|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies |
| 詳細な説明 | MOSFET N-CH 100V 1A SAWN ON FOIL |
| パッケージ | Sawn on foil |
| 株式 | 5680 pcs |
| データシート |
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.1V @ 12µA |
| Vgs（最大） | - |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | Sawn on foil |
| シリーズ | OptiMOS™ |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 100mOhm @ 2A, 4.5V |
| 電力消費（最大） | - |
| パッケージ/ケース | Die |
| パッケージ | Bulk |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 運転温度 | - |
| 装着タイプ | Surface Mount |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 1A (Tj) |
| 基本製品番号 | IPC020N |
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