IPBE65R115CFD7AATMA1
工場モデル | IPBE65R115CFD7AATMA1 |
---|---|
メーカー | Infineon Technologies |
詳細な説明 | AUTOMOTIVE_COOLMOS PG-TO263-7 |
パッケージ | PG-TO263-7-11 |
株式 | 21755 pcs |
データシート |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 |
---|---|---|---|
$2.429 | $2.193 | $1.816 | $1.581 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 4.5V @ 490µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO263-7-11 |
シリーズ | CoolMOS™ |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 115mOhm @ 9.7A, 10V |
電力消費(最大) | 114W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1950 pF @ 400 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 41 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 650 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 21A (Tc) |
基本製品番号 | IPBE65R |
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