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IPB80N06S2L06ATMA1 Image
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IPB80N06S2L06ATMA1

工場モデル IPB80N06S2L06ATMA1
メーカー Infineon Technologies
詳細な説明 MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
パッケージ PG-TO263-3-2
株式 4871 pcs
データシート IPB,IPP80N06S2L-06Part Number GuideWafer Fab/Test Site Addition 15/Dec/2014
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。4871のInfineon Technologies IPB80N06S2L06ATMA1の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 2V @ 180µA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ PG-TO263-3-2
シリーズ OptiMOS™
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 6mOhm @ 69A, 10V
電力消費（最大） 250W (Tc)
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 3800 pF @ 25 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 150 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 55 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 80A (Tc)
基本製品番号 IPB80N

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