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IPB65R125C7ATMA2 Image
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IPB65R125C7ATMA2

工場モデル IPB65R125C7ATMA2
メーカー Infineon Technologies
詳細な説明 MOSFET N-CH 650V 18A TO263-3
パッケージ PG-TO263-3
株式 35969 pcs
データシート Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018
提案された価格 （米ドルでの測定）
1000 2000
$1.06 $1.007
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。35969のInfineon Technologies IPB65R125C7ATMA2の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 4V @ 440µA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ PG-TO263-3
シリーズ CoolMOS™ C7
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 125mOhm @ 8.9A, 10V
電力消費（最大） 101W (Tc)
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 1670 pF @ 400 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 35 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 650 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 18A (Tc)
基本製品番号 IPB65R125

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