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IPB60R210CFD7ATMA1

工場モデル IPB60R210CFD7ATMA1
メーカー Infineon Technologies
詳細な説明 MOSFET N-CH 600V 12A TO263-3
パッケージ PG-TO263-3-2
株式 61893 pcs
データシート Mult Dev A/T Chgs 18/Oct/2021
提案された価格 (米ドルでの測定)
1000
$0.766
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。61893のInfineon Technologies IPB60R210CFD7ATMA1の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール:info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS(TH)(最大) 4.5V @ 250µA
Vgs(最大) ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ PG-TO263-3-2
シリーズ CoolMOS™ CFD7
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 210mOhm @ 4.9A, 10V
電力消費(最大) 64W (Tc)
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 1015 pF @ 400 V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 23 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 600 V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 12A (Tc)
基本製品番号 IPB60R210

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IPB60R210CFD7ATMA1 データテーブルPDF

データシート