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IPB530N15N3GATMA1 Image
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IPB530N15N3GATMA1

工場モデル IPB530N15N3GATMA1
メーカー Infineon Technologies
詳細な説明 MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK
パッケージ PG-TO263-3
株式 101448 pcs
データシート Part Number GuideMult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018Mult Dev EOL 13/Apr/2022Multiple Changes 09/Jul/2014Mult Dev Wafer Chgs 22/Dec/2021
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10 100 500
$0.666 $0.597 $0.48 $0.394
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。101448のInfineon Technologies IPB530N15N3GATMA1の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 4V @ 35µA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ PG-TO263-3
シリーズ OptiMOS™
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 53mOhm @ 18A, 10V
電力消費（最大） 68W (Tc)
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 887 pF @ 75 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 12 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 8V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 150 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 21A (Tc)
基本製品番号 IPB530

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データシート

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