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IPB120N06S4H1ATMA2 Image
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IPB120N06S4H1ATMA2

工場モデル IPB120N06S4H1ATMA2
メーカー Infineon Technologies
詳細な説明 MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
パッケージ PG-TO263-3-2
株式 36069 pcs
データシート Part Number GuideMult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018Mult Dev Wafer Fab 12/Feb/2019
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10 100 500
$1.581 $1.422 $1.165 $0.992
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。36069のInfineon Technologies IPB120N06S4H1ATMA2の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 4V @ 200µA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ PG-TO263-3-2
シリーズ Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 2.4mOhm @ 100A, 10V
電力消費（最大） 250W (Tc)
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 21900 pF @ 25 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 270 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 60 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 120A (Tc)
基本製品番号 IPB120

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データシート

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