IPB100N04S204ATMA4
工場モデル | IPB100N04S204ATMA4 |
---|---|
メーカー | Infineon Technologies |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3 |
パッケージ | PG-TO263-3-2 |
株式 | 24257 pcs |
データシート | IPx100N04S2-04Part Number GuideMult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018Mult Dev Wafer Fab 12/Feb/2019 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 |
---|---|---|---|
$2.852 | $2.576 | $2.133 | $1.857 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 4V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO263-3-2 |
シリーズ | OptiMOS™ |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 3.3mOhm @ 80A, 10V |
電力消費(最大) | 300W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 5300 pF @ 25 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 172 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 40 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 100A (Tc) |
基本製品番号 | IPB100 |
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