IPB032N10N5ATMA1
| 工場モデル | IPB032N10N5ATMA1 |
|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies |
| 詳細な説明 | MOSFET N-CH 100V 166A TO263-7 |
| パッケージ | PG-TO263-7 |
| 株式 | 26772 pcs |
| データシート | Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018OptiMOS A/T Chgs 2/Dec/2021 |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 | 100 | 500 |
|---|---|---|---|
| $2.361 | $2.121 | $1.738 | $1.479 |
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3.8V @ 125µA |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO263-7 |
| シリーズ | OptiMOS™ |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 3.2mOhm @ 83A, 10V |
| 電力消費（最大） | 187W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 6970 pF @ 50 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 95 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 6V, 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 166A (Tc) |
| 基本製品番号 | IPB032 |
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