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IPB017N10N5LFATMA1

工場モデル IPB017N10N5LFATMA1
メーカー Infineon Technologies
詳細な説明 MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
パッケージ PG-TO263-7
株式 17565 pcs
データシート Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018Mult Dev Wafer Chgs 3/Nov/2022
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10 100 500
$3.357 $3.031 $2.509 $2.185
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。17565のInfineon Technologies IPB017N10N5LFATMA1の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 4.1V @ 270µA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ PG-TO263-7
シリーズ OptiMOS™-5
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 1.7mOhm @ 100A, 10V
電力消費（最大） 313W (Tc)
パッケージ/ケース TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 840 pF @ 50 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 195 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 100 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 180A (Tc)
基本製品番号 IPB017

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