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Infineon Technologies

IPA80R650CEXKSA1

工場モデル IPA80R650CEXKSA1
メーカー Infineon Technologies
詳細な説明 MOSFET N-CH 800V 4.5A TO220
パッケージ PG-TO220-FP
株式 5781 pcs
データシート Part Number GuideHalogen Part Status Rev 5/Aug/2016
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。5781のInfineon Technologies IPA80R650CEXKSA1の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS(TH)(最大) 3.9V @ 470µA
Vgs(最大) ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ PG-TO220-FP
シリーズ CoolMOS™ CE
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 650mOhm @ 5.1A, 10V
電力消費(最大) 33W (Tc)
パッケージ/ケース TO-220-3 Full Pack
パッケージ Tube
運転温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Through Hole
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 1100 pF @ 100 V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 45 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 800 V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 4.5A (Tc)
基本製品番号 IPA80R

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データシート