IPA60R199CPXKSA1
工場モデル | IPA60R199CPXKSA1 |
---|---|
メーカー | Infineon Technologies |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 650V 16A TO220-FP |
パッケージ | PG-TO220-3-31 |
株式 | 38188 pcs |
データシート | Part Number GuideLeadFrame Design Chg 25/May/2016Mult Dev Site Chgs 13/Oct/2020Wafer Dia/Halogen free mold Chg 2/Mar/2016 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 | 2000 |
---|---|---|---|---|---|
$1.778 | $1.596 | $1.308 | $1.113 | $0.939 | $0.892 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 3.5V @ 1.1mA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO220-3-31 |
シリーズ | CoolMOS™ |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 199mOhm @ 9.9A, 10V |
電力消費(最大) | 34W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-220-3 Full Pack |
パッケージ | Tube |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Through Hole |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1520 pF @ 100 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 43 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 650 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 16A (Tc) |
基本製品番号 | IPA60R |
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