Components-House.comへようこそ
見積もり/ご注文

言語を選択してください

現在の言語: 日本語
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-シングル > IPA100N08N3GXKSA1
Infineon Technologies

IPA100N08N3GXKSA1

工場モデル IPA100N08N3GXKSA1
メーカー Infineon Technologies
詳細な説明 MOSFET N-CH 80V 40A TO220-FP
パッケージ PG-TO220-FP
株式 5622 pcs
データシート Part Number GuideFab/Test Site Transfer 28/May/2015Mult Devices EOL 08/May/2019IPA100N08N3G
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。5622のInfineon Technologies IPA100N08N3GXKSA1の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール:info@Components-House.net
お問い合わせを送信 提出します 見積依頼 それらよりも大きい量
表示されます。

規格

製品属性 属性値
同上@ VGS(TH)(最大) 3.5V @ 46µA
Vgs(最大) ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ PG-TO220-FP
シリーズ OptiMOS™
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 10mOhm @ 40A, 10V
電力消費(最大) 35W (Tc)
パッケージ/ケース TO-220-3 Full Pack
パッケージ Tube
製品属性 属性値
運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ Through Hole
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 2410 pF @ 40 V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 35 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 6V, 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 80 V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 40A (Tc)

おすすめ商品

IPA100N08N3GXKSA1 データテーブルPDF

データシート