IMZA120R040M1HXKSA1
| 工場モデル | IMZA120R040M1HXKSA1 |
|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies |
| 詳細な説明 | SIC DISCRETE |
| パッケージ | PG-TO247-4-8 |
| 株式 | 6938 pcs |
| データシート |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 | 100 | 500 |
|---|---|---|---|
| $7.402 | $6.825 | $5.828 | $5.291 |
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5.2V @ 8.3mA |
| Vgs（最大） | +20V, -5V |
| 技術 | SiCFET (Silicon Carbide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO247-4-8 |
| シリーズ | CoolSiC™ |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 54.4mOhm @ 19.3A, 18V |
| 電力消費（最大） | 227W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-247-4 |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 装着タイプ | Through Hole |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1620 nF @ 25 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 39 nC @ 18 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 15V, 18V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 1200 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 55A (Tc) |
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