IMW120R020M1HXKSA1
| 工場モデル | IMW120R020M1HXKSA1 |
|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies |
| 詳細な説明 | SIC DISCRETE |
| パッケージ | PG-TO247-3 |
| 株式 | 3582 pcs |
| データシート |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 | 100 |
|---|---|---|
| $14.59 | $13.455 | $11.49 |
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。3582のInfineon Technologies IMW120R020M1HXKSA1の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5.2V @ 17.6mA |
| Vgs（最大） | +20V, -5V |
| 技術 | SiCFET (Silicon Carbide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO247-3 |
| シリーズ | CoolSiC™ |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 26.9mOhm @ 41A, 18V |
| 電力消費（最大） | 375W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 装着タイプ | Through Hole |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 3460 nF @ 25 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 83 nC @ 18 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 15V, 18V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 1200 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 98A (Tc) |
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