IGT60R190D1SATMA1
| 工場モデル | IGT60R190D1SATMA1 |
|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies |
| 詳細な説明 | GANFET N-CH 600V 12.5A 8HSOF |
| パッケージ | PG-HSOF-8-3 |
| 株式 | 5093 pcs |
| データシート | Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018Mult Dev EOL 28/Jun/2021 |
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1.6V @ 960µA |
| Vgs（最大） | -10V |
| 技術 | GaNFET (Gallium Nitride) |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-HSOF-8-3 |
| シリーズ | CoolGaN™ |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | - |
| 電力消費（最大） | 55.5W (Tc) |
| パッケージ/ケース | 8-PowerSFN |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 157 pF @ 400 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | - |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 600 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 12.5A (Tc) |
| 基本製品番号 | IGT60R190 |
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