IGOT60R070D1AUMA1
工場モデル | IGOT60R070D1AUMA1 |
---|---|
メーカー | Infineon Technologies |
詳細な説明 | GANFET N-CH 600V 31A 20DSO |
パッケージ | PG-DSO-20-87 |
株式 | 4766 pcs |
データシート | Mult Dev Label Chgs 11/Jan/2018IGOT60R070D1IGOT60R070D1Mult Dev EOL 19/Jul/2021Mult Dev DS Rev 9/Nov/2021 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 1.6V @ 2.6mA |
Vgs(最大) | -10V |
技術 | GaNFET (Gallium Nitride) |
サプライヤデバイスパッケージ | PG-DSO-20-87 |
シリーズ | CoolGaN™ |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | - |
電力消費(最大) | 125W (Tc) |
パッケージ/ケース | 20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width) |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 380 pF @ 400 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | - |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 600 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 31A (Tc) |
基本製品番号 | IGOT60 |
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