IGB50N65S5ATMA1
工場モデル | IGB50N65S5ATMA1 |
---|---|
メーカー | Infineon Technologies |
詳細な説明 | IGBT TRENCH/FS 650V 80A TO263-3 |
パッケージ | PG-TO263-3 |
株式 | 42979 pcs |
データシート | Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018Mult Dev Wafer Chg 7/Aug/2019 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 |
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$1.514 | $1.359 | $1.114 | $0.948 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
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電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大) | 650 V |
VGE、Icを@ VCE(上)(最大) | 1.7V @ 15V, 50A |
試験条件 | 400V, 50A, 8.2Ohm, 15V |
Td(オン/オフ)@ 25℃ | 20ns/139ns |
エネルギーの切り替え | 1.23mJ (on), 740µJ (off) |
サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO263-3 |
シリーズ | TrenchStop™ 5 |
電力 - 最大 | 270 W |
パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -40°C ~ 175°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
入力タイプ | Standard |
IGBTタイプ | Trench Field Stop |
ゲートチャージ | 120 nC |
電流 - コレクタパルス(ICM) | 200 A |
電流 - コレクタ(Ic)(Max) | 80 A |
基本製品番号 | IGB50 |
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