IDV04S60CXKSA1
工場モデル | IDV04S60CXKSA1 |
---|---|
メーカー | Infineon Technologies |
詳細な説明 | DIODE SIL CARB 600V 4A TO220FP |
パッケージ | PG-TO220-2 Full Pack |
株式 | 5763 pcs |
データシート | IDV04S60CPart Number GuideIDVyyS60C Devices 08/Feb/2013 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@ | 1.9 V @ 4 A |
電圧 - 逆(VR)(最大) | 600 V |
技術 | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO220-2 Full Pack |
速度 | No Recovery Time > 500mA (Io) |
シリーズ | CoolSiC™+ |
逆回復時間(trrの) | 0 ns |
パッケージ/ケース | TO-220-2 Full Pack |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
パッケージ | Tube |
動作温度 - ジャンクション | -55°C ~ 175°C |
装着タイプ | Through Hole |
電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 50 µA @ 600 V |
電流 - 平均整流(イオ) | 4A |
Vrと、F @キャパシタンス | 130pF @ 1V, 1MHz |
基本製品番号 | IDV04S60 |
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