IDH09G65C5XKSA2
| 工場モデル | IDH09G65C5XKSA2 |
|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies |
| 詳細な説明 | DIODE SIL CARB 650V 9A TO220-2-1 |
| パッケージ | PG-TO220-2-1 |
| 株式 | 34558 pcs |
| データシート | Part Number Guide |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
|---|---|---|---|---|
| $1.803 | $1.619 | $1.326 | $1.129 | $1.035 |
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 1.7 V @ 9 A |
| 電圧 - 逆（VR）（最大） | 650 V |
| 技術 | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO220-2-1 |
| 速度 | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| シリーズ | CoolSiC™+ |
| 逆回復時間（trrの） | 0 ns |
| パッケージ/ケース | TO-220-2 |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| パッケージ | Tube |
| 動作温度 - ジャンクション | -55°C ~ 175°C |
| 装着タイプ | Through Hole |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 160 µA @ 650 V |
| 電流 - 平均整流（イオ） | 9A |
| Vrと、F @キャパシタンス | 270pF @ 1V, 1MHz |
| 基本製品番号 | IDH09G65 |
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