IDD04SG60CXTMA2
工場モデル | IDD04SG60CXTMA2 |
---|---|
メーカー | Infineon Technologies |
詳細な説明 | DIODE SIL CARB 600V 4A TO252-3 |
パッケージ | PG-TO252-3 |
株式 | 76651 pcs |
データシート | Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
---|---|---|---|---|
$1.084 | $0.972 | $0.781 | $0.642 | $0.558 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@ | 2.3 V @ 4 A |
電圧 - 逆(VR)(最大) | 600 V |
技術 | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO252-3 |
速度 | No Recovery Time > 500mA (Io) |
シリーズ | CoolSiC™+ |
逆回復時間(trrの) | 0 ns |
パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
動作温度 - ジャンクション | -55°C ~ 175°C |
装着タイプ | Surface Mount |
電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 25 µA @ 600 V |
電流 - 平均整流(イオ) | 4A |
Vrと、F @キャパシタンス | 80pF @ 1V, 1MHz |
基本製品番号 | IDD04SG60 |
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