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Infineon Technologies

IAUA200N04S5N010ATMA1

工場モデル IAUA200N04S5N010ATMA1
メーカー Infineon Technologies
詳細な説明 MOSFET_(20V 40V)
パッケージ PG-HSOF-5-1
株式 6101 pcs
データシート
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。6101のInfineon Technologies IAUA200N04S5N010ATMA1の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 3.4V @ 100µA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ PG-HSOF-5-1
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 1mOhm @ 100A, 10V
電力消費（最大） 167W (Tc)
パッケージ/ケース 5-PowerSFN
運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 7650 pF @ 25 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 132 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 7V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 40 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 200A (Tc)

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