FF100R12RT4HOSA1
| 工場モデル | FF100R12RT4HOSA1 |
|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies |
| 詳細な説明 | IGBT MOD 1200V 100A 555W |
| パッケージ | Module |
| 株式 | 1726 pcs |
| データシート | Mult Dev Plating 16/Dec/2022Mult Dev Wafer Chgs 3/Dec/2021 |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 | 30 | 80 |
|---|---|---|---|
| $29.391 | $27.92 | $27.186 | $25.165 |
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大） | 1200 V |
| VGE、Icを@ VCE（上）（最大） | 2.15V @ 15V, 100A |
| サプライヤデバイスパッケージ | Module |
| シリーズ | - |
| 電力 - 最大 | 555 W |
| パッケージ/ケース | Module |
| パッケージ | Tray |
| 運転温度 | -40°C ~ 150°C |
| NTCサーミスタ | No |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Chassis Mount |
| 入力容量（量Cies）@ Vceは | 630 nF @ 25 V |
| 入力 | Standard |
| IGBTタイプ | Trench Field Stop |
| 電流 - コレクタ遮断（最大） | 1 mA |
| 電流 - コレクタ（Ic）（Max） | 100 A |
| コンフィギュレーション | 2 Independent |
| 基本製品番号 | FF100R12 |
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