F415MR12W2M1B76BOMA1
| 工場モデル | F415MR12W2M1B76BOMA1 |
|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies |
| 詳細な説明 | LOW POWER EASY AG-EASY2B-2 |
| パッケージ | AG-EASY1B-2 |
| 株式 | 290 pcs |
| データシート |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 |
|---|
| $111.779 |
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5.55V @ 30mA |
| サプライヤデバイスパッケージ | AG-EASY1B-2 |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 15mOhm @ 75A, 15V |
| 電力 - 最大 | - |
| パッケージ/ケース | Module |
| 運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Chassis Mount |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 5.52nF @ 800V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 186nC @ 15V |
| FETタイプ | 4 N-Channel (Half Bridge) |
| FET特長 | Silicon Carbide (SiC) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 1200V (1.2kV) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 75A (Tj) |
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