F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1
| 工場モデル | F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1 |
|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies |
| 詳細な説明 | LOW POWER EASY AG-EASY2B-3111 |
| パッケージ | AG-EASY2B |
| 株式 | 565 pcs |
| データシート | Mult Dev Wafer Site Add 1/Sep/2022 |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 18 | 36 |
|---|---|---|
| $70.95 | $67.954 | $66.455 |
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。565のInfineon Technologies F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5.15V @ 40mA |
| 技術 | Silicon Carbide (SiC) |
| サプライヤデバイスパッケージ | AG-EASY2B |
| シリーズ | EasyPACK™ |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 12mOhm @ 100A, 18V |
| 電力 - 最大 | 20mW |
| パッケージ/ケース | Module |
| パッケージ | Tray |
| 運転温度 | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Chassis Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 8800pF @ 800V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 297nC @ 18V |
| FET特長 | - |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 1200V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 85A (Tj) |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| 基本製品番号 | F3L8MR12 |
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