DF80R12W2H3B11BOMA1
工場モデル | DF80R12W2H3B11BOMA1 |
---|---|
メーカー | Infineon Technologies |
詳細な説明 | IGBT MODULE |
パッケージ | Module |
株式 | 2979 pcs |
データシート |
提案された価格 (米ドルでの測定)
8 |
---|
$13.726 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大) | 1200 V |
VGE、Icを@ VCE(上)(最大) | 1.7V @ 15V, 20A |
サプライヤデバイスパッケージ | - |
シリーズ | - |
電力 - 最大 | 190 W |
パッケージ/ケース | Module |
パッケージ | Bulk |
運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
NTCサーミスタ | Yes |
装着タイプ | Chassis Mount |
入力容量(量Cies)@ Vceは | 2.35 nF @ 25 V |
入力 | Standard |
IGBTタイプ | - |
電流 - コレクタ遮断(最大) | 1 mA |
電流 - コレクタ(Ic)(Max) | 50 A |
コンフィギュレーション | Dual Boost Chopper |
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