D3501N42TXPSA1
| 工場モデル | D3501N42TXPSA1 |
|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies |
| 詳細な説明 | DIODE GEN PURP 4.2KV 4870A |
| パッケージ | DO-200AE |
| 株式 | 4752 pcs |
| データシート | Thyristor/Diode Module Label REV 1/Feb/2018Mult Dev Pkg Chgs 23/Sep/2021 |
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 1.27 V @ 4000 A |
| 電圧 - 逆（VR）（最大） | 4200 V |
| 技術 | Standard |
| サプライヤデバイスパッケージ | - |
| 速度 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| シリーズ | - |
| パッケージ/ケース | DO-200AE |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| パッケージ | Tray |
| 動作温度 - ジャンクション | -40°C ~ 160°C |
| 装着タイプ | Chassis Mount |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 100 mA @ 4200 V |
| 電流 - 平均整流（イオ） | 4870A |
| Vrと、F @キャパシタンス | - |
| 基本製品番号 | D3501N42 |
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