BTS115AE6327

工場モデル	BTS115AE6327
メーカー	Infineon Technologies
詳細な説明	N-CHANNEL POWER MOSFET
パッケージ	PG-TO220-3-1
株式	4219 pcs
データシート

提案された価格（米ドルでの測定）

納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。4219のInfineon Technologies BTS115AE6327の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格

製品属性	属性値
同上@ VGS（TH）（最大）	2.5V @ 1mA
Vgs（最大）	±10V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ	PG-TO220-3-1
シリーズ	TEMPFET®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）	120mOhm @ 7.8A, 4.5V
電力消費（最大）	50W
パッケージ/ケース	TO-220-3
パッケージ	Bulk

製品属性	属性値
運転温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ	Through Hole
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	735 pF @ 25 V
FETタイプ	N-Channel
FET特長	-
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	4.5V
ソース電圧（VDSS）にドレイン	50 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	15.5A (Tc)

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