BSS119L6433
工場モデル | BSS119L6433 |
---|---|
メーカー | Infineon Technologies |
詳細な説明 | SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET |
パッケージ | PG-SOT23 |
株式 | 1360015 pcs |
データシート |
提案された価格 (米ドルでの測定)
3463 |
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$0.033 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
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同上@ VGS(TH)(最大) | 2.3V @ 50µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | PG-SOT23 |
シリーズ | SIPMOS® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 6Ohm @ 170mA, 10V |
電力消費(最大) | 360mW (Ta) |
パッケージ/ケース | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
パッケージ | Bulk |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 78 pF @ 25 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 2.5 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 4.5V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 100 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 170mA (Ta) |
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