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BSP613P

工場モデル BSP613P
メーカー Infineon Technologies
詳細な説明 MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT223-4
パッケージ PG-SOT223-4-21
株式 5964 pcs
データシート Part Number GuideMultiple Devices 28/Mar/2008
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。5964のInfineon Technologies BSP613Pの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 4V @ 1mA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ PG-SOT223-4-21
シリーズ SIPMOS®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 130mOhm @ 2.9A, 10V
電力消費（最大） 1.8W (Ta)
パッケージ/ケース TO-261-4, TO-261AA
パッケージ Tape & Reel (TR)
製品属性 属性値
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 875 pF @ 25 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 33 nC @ 10 V
FETタイプ P-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 60 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 2.9A (Ta)

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