Components-House.comへようこそ
プライバシーポリシー お問い合わせ
見積もり/ご注文

言語を選択してください

現在の言語: 日本語
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-シングル > BSP324H6327XTSA1
BSP324H6327XTSA1 Image
画像は参照のみです。
製品の詳細仕様を参照してください。

BSP324H6327XTSA1

工場モデル BSP324H6327XTSA1
メーカー Infineon Technologies
詳細な説明 MOSFET N-CH 400V 170MA SOT223-4
パッケージ PG-SOT223-4
株式 179348 pcs
データシート Part Number GuideMult Dev Pkg Update 28/May/2020Mult Dev Cover Tape Chg 9/Mar/2020Mult Dev Site Chgs 2/Feb/2023
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10 100 500
$0.358 $0.316 $0.242 $0.192
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。179348のInfineon Technologies BSP324H6327XTSA1の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
お問い合わせを送信 提出します 見積依頼 それらよりも大きい量
表示されます。

規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 2.3V @ 94µA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ PG-SOT223-4
シリーズ SIPMOS®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 25Ohm @ 170mA, 10V
電力消費（最大） 1.8W (Ta)
パッケージ/ケース TO-261-4, TO-261AA
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 154 pF @ 25 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 5.9 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 400 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 170mA (Ta)
基本製品番号 BSP324

おすすめ商品

BSP324H6327XTSA1 データテーブルPDF

データシート

BSP324H6327XTSA1に関連した語彙

BSP324H6327XTSA1関連コンポーネント