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BSP149H6327XTSA1 Image
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BSP149H6327XTSA1

工場モデル BSP149H6327XTSA1
メーカー Infineon Technologies
詳細な説明 MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
パッケージ PG-SOT223-4
株式 117098 pcs
データシート Part Number GuideMult Dev Pkg Update 28/May/2020Mult Dev Cover Tape Chg 9/Mar/2020Mult Dev Site Chgs 2/Feb/2023
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10 100 500
$0.54 $0.482 $0.376 $0.31
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。117098のInfineon Technologies BSP149H6327XTSA1の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 1V @ 400µA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ PG-SOT223-4
シリーズ SIPMOS®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 1.8Ohm @ 660mA, 10V
電力消費（最大） 1.8W (Ta)
パッケージ/ケース TO-261-4, TO-261AA
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 430 pF @ 25 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 14 nC @ 5 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 Depletion Mode
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 0V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 200 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 660mA (Ta)
基本製品番号 BSP149

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