Components-House.comへようこそ
見積もり/ご注文

言語を選択してください

現在の言語: 日本語
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-シングル > BSL372SNH6327XTSA1
BSL372SNH6327XTSA1 Image
画像は参照のみです。
製品の詳細仕様を参照してください。

BSL372SNH6327XTSA1

工場モデル BSL372SNH6327XTSA1
メーカー Infineon Technologies
詳細な説明 MOSFET N-CH 100V 2A TSOP-6
パッケージ PG-TSOP6-6
株式 4973 pcs
データシート BSL372SNPart Number GuideMult Dev Packing Box Chg 18/Oct/2019Mult Dev EOL 24/Apr/2019
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。4973のInfineon Technologies BSL372SNH6327XTSA1の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール:info@Components-House.net
お問い合わせを送信 提出します 見積依頼 それらよりも大きい量
表示されます。

規格

製品属性 属性値
同上@ VGS(TH)(最大) 1.8V @ 218µA
Vgs(最大) ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ PG-TSOP6-6
シリーズ OptiMOS™
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 220mOhm @ 2A, 10V
電力消費(最大) 2W (Ta)
パッケージ/ケース SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
パッケージ Tape & Reel (TR)
製品属性 属性値
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 329 pF @ 25 V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 14.3 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 4.5V, 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 100 V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 2A (Ta)

おすすめ商品

BSL372SNH6327XTSA1 データテーブルPDF

データシート