BSF024N03LT3G
工場モデル | BSF024N03LT3G |
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メーカー | Infineon Technologies |
詳細な説明 | N-CHANNEL POWER MOSFET |
パッケージ | MG-WDSON-2 |
株式 | 194495 pcs |
データシート |
提案された価格 (米ドルでの測定)
547 |
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$0.201 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 2.2V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | MG-WDSON-2 |
シリーズ | OptiMOS™3 |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 2.4mOhm @ 20A, 10V |
電力消費(最大) | 2.2W (Ta), 42W (Tc) |
パッケージ/ケース | DirectFET™ Isometric MX |
パッケージ | Bulk |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 5500 pF @ 15 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 71 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 4.5V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 30 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 15A (Ta), 106A (Tc) |
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