BSD816SNL6327
| 工場モデル | BSD816SNL6327 |
|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies |
| 詳細な説明 | SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET |
| パッケージ | PG-SOT363-6-6 |
| 株式 | 5987 pcs |
| データシート |
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 950mV @ 3.7µA |
| Vgs（最大） | ±8V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-SOT363-6-6 |
| シリーズ | OptiMOS™2 |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 160mOhm @ 1.4A, 2.5V |
| 電力消費（最大） | 500mW (Ta) |
| パッケージ/ケース | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 |
| パッケージ | Bulk |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 180 pF @ 10 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 0.6 nC @ 2.5 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 1.8V, 2.5V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 1.4A (Ta) |
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