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Infineon Technologies

BSC084P03NS3EGATMA1

工場モデル BSC084P03NS3EGATMA1
メーカー Infineon Technologies
詳細な説明 MOSFET P-CH 30V 14.9A 8TDSON
パッケージ PG-TDSON-8-5
株式 4724 pcs
データシート Part Number GuideMult Dev Reel Design Chg 2/Dec/2019Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018Mult Dev EOL 23/Sep/2022Mult Device Assembly Site Add 6/Sep/2017
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。4724のInfineon Technologies BSC084P03NS3EGATMA1の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS(TH)(最大) 3V @ 110µA
Vgs(最大) ±25V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ PG-TDSON-8-5
シリーズ OptiMOS™
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 8.4mOhm @ 50A, 10V
電力消費(最大) 2.5W (Ta), 69W (Tc)
パッケージ/ケース 8-PowerTDFN
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 4240 pF @ 15 V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 57.7 nC @ 10 V
FETタイプ P-Channel
FET特長 -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 6V, 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 30 V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 14.9A (Ta), 78.6A (Tc)
基本製品番号 BSC084

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データシート