Components-House.comへようこそ
見積もり/ご注文

言語を選択してください

現在の言語: 日本語
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-シングル > BSC060P03NS3EGATMA1
Infineon Technologies

BSC060P03NS3EGATMA1

工場モデル BSC060P03NS3EGATMA1
メーカー Infineon Technologies
詳細な説明 MOSFET P-CH 30V 17.7/100A 8TDSON
パッケージ PG-TDSON-8-1
株式 232288 pcs
データシート Part Number GuideMult Dev Reel Design Chg 2/Dec/2019Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018Multiple Changes 09/Jul/2014
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 10 100 500 1000 2000
$0.441 $0.394 $0.307 $0.254 $0.2 $0.187
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。232288のInfineon Technologies BSC060P03NS3EGATMA1の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール:info@Components-House.net
お問い合わせを送信 提出します 見積依頼 それらよりも大きい量
表示されます。

規格

製品属性 属性値
同上@ VGS(TH)(最大) 3.1V @ 150µA
Vgs(最大) ±25V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ PG-TDSON-8-1
シリーズ OptiMOS™
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 6mOhm @ 50A, 10V
電力消費(最大) 2.5W (Ta), 83W (Tc)
パッケージ/ケース 8-PowerTDFN
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 6020 pF @ 15 V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 81 nC @ 10 V
FETタイプ P-Channel
FET特長 -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 6V, 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 30 V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 17.7A (Ta), 100A (Tc)
基本製品番号 BSC060

おすすめ商品

BSC060P03NS3EGATMA1 データテーブルPDF

データシート