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Infineon Technologies

BSC042NE7NS3GATMA1

工場モデル BSC042NE7NS3GATMA1
メーカー Infineon Technologies
詳細な説明 MOSFET N-CH 75V 19A/100A TDSON
パッケージ PG-TDSON-8-1
株式 81055 pcs
データシート Part Number GuideMult Dev Reel Design Chg 2/Dec/2019Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018Multiple Changes 09/Jul/2014Assembly Site Update 26/Jul/2016
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10 100 500 1000 2000
$1.156 $1.038 $0.834 $0.685 $0.568 $0.529
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。81055のInfineon Technologies BSC042NE7NS3GATMA1の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 3.8V @ 91µA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ PG-TDSON-8-1
シリーズ OptiMOS™
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 4.2mOhm @ 50A, 10V
電力消費（最大） 2.5W (Ta), 125W (Tc)
パッケージ/ケース 8-PowerTDFN
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 4800 pF @ 37.5 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 69 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 75 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 19A (Ta), 100A (Tc)
基本製品番号 BSC042

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