Components-House.comへようこそ
プライバシーポリシー お問い合わせ
見積もり/ご注文

言語を選択してください

現在の言語: 日本語
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-シングル > BSC019N06NSATMA1
BSC019N06NSATMA1 Image
画像は参照のみです。
製品の詳細仕様を参照してください。

BSC019N06NSATMA1

工場モデル BSC019N06NSATMA1
メーカー Infineon Technologies
詳細な説明 MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8 FL
パッケージ PG-TDSON-8 FL
株式 69664 pcs
データシート Mult Dev Mould Chgs 22/Jun/2022Optimos Site/Mat Chgs 30/May/2022
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10 25 100 250 500 1000
$0.93 $0.836 $0.788 $0.671 $0.631 $0.552 $0.473
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。69664のInfineon Technologies BSC019N06NSATMA1の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
お問い合わせを送信 提出します 見積依頼 それらよりも大きい量
表示されます。

規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 3.3V @ 74µA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ PG-TDSON-8 FL
シリーズ OptiMOS™
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 1.95mOhm @ 50A, 10V
電力消費（最大） 136W (Ta)
パッケージ/ケース 8-PowerTDFN
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 5250 pF @ 30 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 77 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 6V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 60 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 100A (Ta)
基本製品番号 BSC019

おすすめ商品

BSC019N06NSATMA1 データテーブルPDF

データシート

BSC019N06NSATMA1に関連した語彙

BSC019N06NSATMA1関連コンポーネント