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Infineon Technologies

BSC009NE2LSATMA1

工場モデル BSC009NE2LSATMA1
メーカー Infineon Technologies
詳細な説明 MOSFET N-CH 25V 41A/100A TDSON
パッケージ PG-TDSON-8-7
株式 112382 pcs
データシート Part Number GuideMult Dev Reel Design Chg 2/Dec/2019Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018Mult Dev Mould Chgs 22/Jun/2022Optimos Site/Mat Chgs 30/May/2022OptiMOS Wafer Addition 17/Dec/2015
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10 100 500 1000 2000
$0.749 $0.672 $0.54 $0.444 $0.368 $0.343
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。112382のInfineon Technologies BSC009NE2LSATMA1の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 2.2V @ 250µA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ PG-TDSON-8-7
シリーズ OptiMOS™
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 0.9mOhm @ 30A, 10V
電力消費（最大） 2.5W (Ta), 96W (Tc)
パッケージ/ケース 8-PowerTDFN
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 5800 pF @ 12 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 126 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 25 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 41A (Ta), 100A (Tc)
基本製品番号 BSC009

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