AUIRS21271STR
工場モデル | AUIRS21271STR |
---|---|
メーカー | Infineon Technologies |
詳細な説明 | IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC |
パッケージ | 8-SOIC |
株式 | 53582 pcs |
データシート | AUIRS212(7,71,8,81)SPart Number GuideMult Dev Lot Chgs 25/May/2021Mult Dev Label Chgs Aug/2020Mult Dev Process Chg 1/Sep/2021 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 25 | 100 | 250 | 500 | 1000 |
---|---|---|---|---|---|---|
$1.19 | $1.069 | $1.011 | $0.876 | $0.831 | $0.746 | $0.629 |
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。53582のInfineon Technologies AUIRS21271STRの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
電源電圧 - | 9V ~ 20V |
サプライヤデバイスパッケージ | 8-SOIC |
シリーズ | Automotive, AEC-Q100 |
立上り/立下り時間(Typ) | 80ns, 40ns |
パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
入力周波数 | 1 |
装着タイプ | Surface Mount |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
ロジック電圧 - VIL、VIH | 0.8V, 2.5V |
入力タイプ | Non-Inverting |
ハイサイド電圧 - 最大(ブートストラップ) | 600 V |
ゲートタイプ | IGBT, N-Channel MOSFET |
駆動構成 | High-Side |
電流 - ピーク出力(ソース、シンク) | 290mA, 600mA |
ベース・エミッタ間飽和電圧(最大) | Single |
基本製品番号 | AUIRS2127 |
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