AUIRFR5410TRL
工場モデル | AUIRFR5410TRL |
---|---|
メーカー | Infineon Technologies |
詳細な説明 | MOSFET P-CH 100V 13A DPAK |
パッケージ | PG-TO252-3 |
株式 | 67047 pcs |
データシート | Part Number GuideMult Dev Lot Chgs 25/May/2021Mult Device Standard Label Chg 29/Sep/2017Mult Dev Label Chgs 8/Sep/2021Package Drawing Update 19/Aug/2015Mult Dev A/T Rev 10/May/2022 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
---|---|---|---|---|
$1.114 | $1.001 | $0.82 | $0.698 | $0.589 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 4V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO252-3 |
シリーズ | Automotive, AEC-Q101, HEXFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 205mOhm @ 7.8A, 10V |
電力消費(最大) | 66W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 760 pF @ 25 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 58 nC @ 10 V |
FETタイプ | P-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 100 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 13A (Tc) |
基本製品番号 | AUIRFR5410 |
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