AIDK08S65C5ATMA1
工場モデル | AIDK08S65C5ATMA1 |
---|---|
メーカー | Infineon Technologies |
詳細な説明 | DISCRETE DIODES |
パッケージ | PG-TO263-2 |
株式 | 36166 pcs |
データシート |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 |
---|---|---|---|
$2.095 | $1.88 | $1.541 | $1.311 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@ | 1.7 V @ 8 A |
電圧 - 逆(VR)(最大) | 650 V |
技術 | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO263-2 |
速度 | No Recovery Time > 500mA (Io) |
シリーズ | Automotive, AEC-Q101, CoolSiC™ |
逆回復時間(trrの) | 0 ns |
パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
動作温度 - ジャンクション | -40°C ~ 175°C |
装着タイプ | Surface Mount |
電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 50 µA @ 650 V |
電流 - 平均整流(イオ) | 8A |
Vrと、F @キャパシタンス | 248pF @ 1V, 1MHz |
基本製品番号 | AIDK08 |
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