1EDN8511BXUSA1
| 工場モデル | 1EDN8511BXUSA1 |
|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies |
| 詳細な説明 | IC GATE DRV HALF BRD/LOW SOT23-6 |
| パッケージ | PG-SOT23-6-2 |
| 株式 | 182726 pcs |
| データシート | 1EDN751x, 1EDN851xMult Dev Pkg Mark Chg 12/Aug/20211EDN751x, 1EDN851x |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 | 25 | 100 | 250 | 500 | 1000 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| $0.395 | $0.354 | $0.336 | $0.276 | $0.258 | $0.228 | $0.183 |
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 電源電圧 - | 8V ~ 20V |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-SOT23-6-2 |
| シリーズ | EiceDriver™ |
| 立上り/立下り時間（Typ） | 6.5ns, 4.5ns |
| パッケージ/ケース | SOT-23-6 |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 入力周波数 | 1 |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| ロジック電圧 - VIL、VIH | 1.2V, 1.9V |
| 入力タイプ | Inverting, Non-Inverting |
| ゲートタイプ | N-Channel, P-Channel MOSFET |
| 駆動構成 | Half-Bridge, Low-Side |
| 電流 - ピーク出力（ソース、シンク） | 4A, 8A |
| ベース・エミッタ間飽和電圧（最大） | Single |
| 基本製品番号 | 1EDN8511 |
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