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Comchip Technology

CDBGBSC201200-G

工場モデル CDBGBSC201200-G
メーカー Comchip Technology
詳細な説明 DIODE DUAL SIC 20A 1200V TO-247
パッケージ TO-247
株式 4242 pcs
データシート CDBGBSC201200-GComchip Technology RoHS CertMult Dev EOL 21/Oct/2022CDBx 23-May-2022
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのComchip Technologyシリーズの電子コンポーネントを専門としています。4242のComchip Technology CDBGBSC201200-Gの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格

製品属性 属性値
電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ 1.8 V @ 10 A
電圧 - 逆（VR）（最大） 1200 V
技術 SiC (Silicon Carbide) Schottky
サプライヤデバイスパッケージ TO-247
速度 No Recovery Time > 500mA (Io)
シリーズ -
逆回復時間（trrの） 0 ns
パッケージ/ケース TO-247-3
製品属性 属性値
パッケージ Tube
動作温度 - ジャンクション -55°C ~ 175°C
装着タイプ Through Hole
ダイオード構成 1 Pair Common Cathode
電流 - 漏れ@ Vrとリバース 100 µA @ 1200 V
電流 - 平均整流（イオ​​）（ダイオード当たり） 25.9A (DC)
基本製品番号 CDBGBSC201200

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